概览

简介

The NP50P06SDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 16.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 23.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)
  • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP.

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 1.32 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
指南 PDF 1.71 MB
Product Reliability Report PDF 224 KB
手册 PDF 2.24 MB
5 items

设计和开发

模型