概览

简介

The RBA250N10CHPF-4UA02 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 2.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 9500pF TYP. (VDS = 50 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 659 KB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
指南 PDF 1.71 MB
手册 PDF 2.24 MB
4 items

设计和开发

开发板与套件

开发板与套件

模型