概览

简介

The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±100 A
  • RoHS Compliant

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 485 KB
手册 PDF 8.73 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
应用文档 PDF 648 KB 日文
手册 PDF 2.58 MB English(英语) , 日文
5 items

设计和开发

模型