概要

説明

60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
  • Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 435 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 226 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

モデル