The RBN40H65T1FPQ-A0 650V, 40A trench insulated-gate bipolar transistor (IGBT) offers a low collector to emitter saturation voltage, built-in fast recovery diode (FRD), and can be used for power switching applications. It is available in a TO-247A package type.
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Pkg. Type |
Carrier Type |
Moisture Sensitivity Level (MSL) |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 circleアクティブ サンプル入手可能 |
TO-247A | Tube | 1 | サンプルを入手, |