概览
描述
RJH65T04BDPM-A0 650V、30A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管（FRD），可用于电源开关应用。 该器件采用 TO-3PFP 封装类型。
特性
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.5V（典型值） （IC = 30A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 内置快速恢复二极管，采用一个封装
- 沟槽栅极和薄晶圆技术
- 高速开关 tf = 45ns（典型值） （VCC = 400V，VGE = 15V，IC = 30A，Rg = 10Ω，Ta=25 °C ，电感负载）
- 工作频率（20kHz ≤ f ˂ 40kHz）
产品对比
应用
- 电源开关
- 功率因数校正（PFC）电路
设计和开发
模型
ECAD 模块
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