功率分立器件的主要领域

瑞萨电子的功率半导体分立器件主要通过绝缘栅双极晶体管(IGBT)/ 功率 MOS 场效应晶体管(Power MOS)来实现汽车和工业领域的高功率应用。瑞萨电子计划扩大其产品组合,重点发展碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等各种化合物器件。

分类

功率 IGBT(绝缘栅双极晶体管)

通过薄晶圆技术实现低饱和电压和快速切换

功率二极管

为高频率应用中的整流提供快速恢复时间

功率晶体闸流管和三端双向晶闸管

带 150 °C 保证结温的三端双向晶闸管和晶体闸流管

电源 MOSFET

适用于低导通电阻、高速转换和高可靠性的 MOSFET

文档

类型 文档标题 日期
指南 PDF 2.65 MB
手册 PDF 1.92 MB
传单 PDF 1.07 MB 英语 , 日文
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