先进的 GaN 技术助力未来
当今的电源系统要求在各种应用中实现更高的效率和更大的功率密度，同时必须支持比传统硅器件更宽的电压范围和更快的开关频率。 宽带隙技术能够满足这些先进的电源要求，因此发展迅速。
瑞萨电子持续扩展旗下 GaN 产品组合，涵盖低电压和高电压分立器件、四象限开关、驱动器和控制器等。 更广泛的产品组合增强了我们为客户提供全面应用支持的能力。 瑞萨电子的 GaN 技术基于单核平台垂直整合模式，可在广泛应用中实现 45W 至 10kW 以上的功率转换。 该产品采用自主晶片工艺制造，与同类 GaN 产品相比，损耗更低，性能更佳。 凭借覆盖外延材料、器件结构、封装及应用领域的 1000 余项专利，我们持续推动差异化发展与客户创新。
为满足基础设施、工业、可再生能源、消费电子和汽车市场日益增长的需求，我们提供各种 GaN 分立器件及配套电源管理解决方案。 该产品组合将先进的 GaN 器件与垂直一体化晶片制造以及业界领先的控制器和驱动器 IC 相结合，提供完整的高性能电源解决方案。
氮化镓（GaN）电源 应用
GaN 产品类别
为什么 D 模式 GaN 是高电压电源设计的不二之选？
D 模式 GaN 集高开关速度、稳健的栅极行为和强大的瞬态抗扰性于一身，能够支持可靠的高电压工作。 本白皮书概述了瑞萨电子的电馈结构方法如何提升 PFC、逆变器与谐振转换器设计的效率。
视频和培训
Renesas now offers the highest performance and reliability Gallium Nitride (GaN) solutions with the help of Transphorm. Discover how our GaN technology can enhance your next-generation system designs.
To learn more, visit the GaN Power Discretes category page.
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