通过采用 GaN 器件和技术，实现瑞萨电子电源产品组合的转型。
当今的电源系统在很多应用场景中对效率和功率密度的要求越来越高，所需的电压范围和开关频率也需要比传统的硅基器件更大和更快。 宽带隙器件不仅在销量方面增长显著，而且在满足当今复杂电源系统的需求方面具有独特优势。
瑞萨电子在电源产品中战略性地采用 Transphorm 的 GaN 技术和器件，可为客户提供更为丰富的产品，从而成为行业中产品最全面的公司之一。 瑞萨电子现有的功率分立产品组合包括 IGBT、碳化硅和硅功率场效应管，现在增加了 GaN 器件，极大地提高了客户系统设计的灵活性。 Transphorm 的 GaN 技术具有独特性和差异性，并且基于单核平台垂直集成模式，可满足当今市场上各种应用产品的功率转换需求，且支持的产品和功率范围是目前最宽广的（45W 至 10+kW）。 与同类 GaN 产品相比，本产品采用自己的晶片工艺，可使其损耗/性能改善 25%，这是它的另一个主要优势。 具有行业领先的知识产权，获得 1000 多项专利，这些专利涉及从 EPI 材料、包装到应用的整个 GaN 价值链，进一步推动了产品差异化和客户创新的实现。
为了满足客户在汽车、工业、可再生能源和消费领域日益增长的需求，瑞萨电子现已在各种电源管理解决方案中将所有宽带隙产品（包括采用垂直集成晶圆制造工艺的尖端 GaN 产品）与业界最佳的控制器和驱动器集成电路相结合，进一步完善了这些解决方案。
