RJP1CS05DWS

描述

RJP1CS05DWS 1250V、75A 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 提供低集电极到发射极饱和电压，可用于逆变器应用。 该器件采用切割晶圆封装类型。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.8V （典型值） （I_C = 75A，V_GE = 15V，Tc = 25 °C）
• 高速开关
• 短路耐受时间（最小 10μs）

产品对比

应用

• 逆变器