RJP65S05DWS

描述

RJP65S05DWS 650V、75A 绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供高速开关、低集电极到发射极饱和电压，并提供已切割晶圆封装类型。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.5V（典型值） （I_C = 75A，V_GE = 15V，T_C = 25 °C）
• 高速开关
• 短路耐受时间（最小 10μs）

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应用

• 逆变器