概览
描述
The RJP1CS23DWA 1250V, 30A, trench insulated-gate bipolar transistor (IGBT) offers a low collector to emitter saturation voltage and can be used for inverter applications. It is available in an Unsawn wafer package type.
特性
- Renesas generation 7th Trench IGBT
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.55V typ. (at IC = 30A, VGE = 15V, Tc = 25 °C)
- Moderate speed switching
- Short circuit withstands time (10μs min.)
产品对比
应用
- Inverters
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 151 KB | |
| 宣传手册 | PDF 5.41 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 506 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 941 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 1.05 MB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 3.28 MB | |
| 宣传手册 | PDF 11.56 MB | |
| 宣传手册 | PDF 1.32 MB | |
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9 items
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