瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RBN40H65T1FPQ-A0

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IGBT 650V 40A TO-247A 内置 FRD

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RBN40H65T1FPQ-A0 Datasheet

概览

  • 沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H 系列）
  • 内置快速恢复二极管，集成在一个封装中
  • 低集电极至发射极饱和电压 VCE（sat） = 1.5V（典型值） （在 IC = 40 A、VGE = 15 V、Ta = 25°C 时）
  • 质量等级：标准
  • 高速开关
  • 非短路专用
  • 应用：UPS、焊接、光伏逆变器、电源转换器系统

文档

设计和开发

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - 其他
Renesas PLECS Model
登录后下载 ZIP 79 KB
模型 - 其他
Half Bridge 1Phase Inverter PLECS model
ZIP 16 KB
模型 - SPICE
RBN40H65T1FPQ-A0 SPICE Data
LIB 2 KB
3 items

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