概览
描述
The RJP1CS27DWT is a 1250V, 150A, single switch, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) with a gate emitter voltage of -30V to 30V, saturated collector emitter voltage of 1.55V, a 150A to 300A DC collector current, and collector emitter voltage of 1250V.
特性
- Gate emitter voltage: -30V to 30V
- Saturated collector emitter voltage: 1.55V
- DC collector current: 150A to 300A
- Collector emitter voltage 1250V
- RoHS compliant
产品对比
应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 宣传手册 | PDF 5.41 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 506 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 941 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 1.05 MB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 3.28 MB | |
| 宣传手册 | PDF 11.56 MB | |
| 宣传手册 | PDF 1.32 MB | |
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8 items
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设计和开发
模型
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