RJP65S08DWS

描述

RJP65S08DWS 650V、200A 绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供高速开关、低集电极至发射极饱和电压，并采用已切割封装。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.5V（典型值） （I_C = 200A，V_GE = 15V，T_C = 25°C）
• 高速开关
• 短路耐受时间（最小 10μs）

产品对比

应用

• 逆变器