RJP65T43DPQ-A0

描述

RJP65T43DPQ-A0 650V、30A 沟槽式绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供通孔安装，并采用 TO-247A 封装。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.8V （典型值） （I_C = 20A，V_GE = 15V，Ta = 25 °C）
• 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
• 高速开关 t_f = 45ns（典型值） （V_CC = 400V，V_GE = 15V，IC = 20A，Rg = 10Ω，Ta = 25 °C，电感负载）
• 工作频率（20kHz ≤ f ˂ 100kHz）集电极额定电流 I_C = 30A（Tc = 100 °C 时）
• 不保证短路耐受时间

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应用

• 功率因数校正（PFC）电路