Evaluation Board for High Reliability SPDT Absorptive RF Switch
The F2932EVBI is a fully populated evaluation board which allows the customer to easily evaluate the F2932 RF switch.
“Thru” calibration connectors are conveniently...
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概览
描述
F2932 是一款 50Ω SP2T 吸收式射频开关，可靠性高，插入损耗低，专为各种市场和应用而设计。 该器件覆盖 50MHz 至 8000MHz 的宽频率范围，工作温度范围为 -40 至 +105°C，电源电压范围为 2.7 至 5.5VDC。 F2932 专为大功率处理而设计，其 P1 dB 高达 36.5dBm，在直通路径中支持 34dBm 的峰值工作功率，在终端射频端口中支持 27dBm 的热切换功率。 除了低插入损耗外，F2932 还提供高隔离度和低失真性能，同时为未使用的射频端口提供 50Ω 端接。
F2932 采用单一正电源电压，支持三个逻辑控制引脚，使用 3.3V 或 1.8V 控制逻辑。 使用时，ENABLE 功能会使部件处于所有路径关闭状态，并禁用 VCTL 的控制。
特性
双对称宽带吸收式射频端口
- 2GHz 高性能射频
- RFC-RFX 隔离度：67dB
- 插入损耗：0.79dB
- 高连续射频连续波功率处理能力
- 所选射频路径：34dBm
- 端接射频路径：27dBm
- 高线性度：
- IIP2：111dBm
- IIP3：64dBm
- 3.3V 和 1.8V 兼容控制逻辑
- 工作温度范围：-40°C 至 +105°C
- 启用功能将部件置于所有路径关闭状态，并禁用 VCTL 控制
- 4 x 4 mm 16 引脚 QFN 封装
产品对比
应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 4.75 MB | |
| 产品变更通告 | PDF 764 KB | |
| 指南 | PDF 2.24 MB | |
| 产品变更通告 | PDF 771 KB | |
| 产品简述 | PDF 438 KB | |
| 产品变更通告 | PDF 359 KB | |
| 产品变更通告 | PDF 170 KB | |
7 items
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设计和开发
开发板与套件
模型
ECAD 模块
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F2932 / F2933 High-isolation SPDT RF Switches
Operating at 50 to 8000 MHz, the F2932 and F2933 are silicon-based, low-distortion 50-ohm single-pole, double-throw (SPDT) RF switches. The devices offer one of the industry’s highest isolation values combined with low distortion and low insertion loss.
With industry-standard 4x4mm 16-pin QFN packages and drop-in compatible footprints and control, their rich combination of specs make the devices ideal for communications and public safety systems, radar and general purpose switching.
F2932 and F2933 offer similar RF performance, pin out and control, with the F2932 having an additional Enable/Disable feature allowing all RF paths to be put into an off state and disabling the VCTL feature.
For more information about IDT's leading RF portfolio, visit www.idt.com/go/RF.
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