概览

简介

The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)
  • Low input capacitance
  • Gate to Source ESD protection diode built-in

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 1.38 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
指南 PDF 1.71 MB
Product Reliability Report PDF 224 KB
手册 PDF 2.24 MB
5 items

设计和开发

模型