REXFET 技术可提升开关速度与效率
先进的分栅极技术相较于上一代技术,可将导通电阻降低,并使品质因数(FOM)下降 30%,从而为工业、汽车及其他应用提供快速开关性能与高效率表现。
瑞萨电子在为汽车、工业、基础设施及消费类市场提供功率 MOSFET 领域,拥有着 30 年以上的专业经验。 依托 NEC 和日立的技术传承,我们的先进技术在高性能与长期可靠性方面在业界享有盛誉,可为各种电压、封装及保护产品提供支持,满足不同市场的需求。
我们的产品组合涵盖传统沟槽(Trench)工艺技术、热场效应晶体管(Thermal FET)以及创新性的 REXFET™ 平台。 REXFET 功率 MOSFET 采用先进分栅极技术设计 ,可实现更低的导通电阻(RDS(on))和优异的品质因数(FOM),从而在高要求应用场景中减少系统损耗并提升功率密度。
我们已售出 250 亿颗 MOSFET,旗下产品组合的可靠性已获充分验证。 我们的车用器件符合 JEDEC 标准及 AEC-Q101,平均不良率(DPPM)低于 0.05。
分栅极技术可最大限度降低导通电阻、减小品质因数(FOM)并提升开关性能。 独特的热场效应晶体管器件集成了过温保护功能,可防止热损坏。
灵活的设计可满足 40V 至 150V 的电压需求,提供从引脚兼容、紧凑大电流封装到晶圆及裸片等多种选择。 部分器件采用可润湿侧翼技术,可提升焊接可靠性。
先进的分栅极技术相较于上一代技术,可将导通电阻降低,并使品质因数(FOM)下降 30%,从而为工业、汽车及其他应用提供快速开关性能与高效率表现。