瑞萨电子推出的下一代磁阻随机存取存储器 (MRAM) 利用一种称为垂直磁隧道结 STT(自旋转移矩)的专有技术,其非易失性存储性能优于其他同类产品,具有数据保持时间长、串行和并行接口速度快等特点。 瑞萨电子的 MRAM 具有多种存储密度,能在较高的温度下工作,适合许多应用场景,例如需要快速备份检索数据的工厂自动化设备、需要长期存储数据的医疗数据单元等。
瑞萨电子 MRAM 产品系列的特点包括:
- 内存密度高
- SPI 4Mb 至 16Mb
- 并行 4Mb 至 32Mb
- 低有效写入和读取电流
- 可配置接口,用于 SPI、DPI、QPI,具有 SDR 和 DDR 模式,并行频率高达 108MHz
- 运行功率低,1.71V 至 3.6V(SPI 接口)和 2.7V 至 3.6V(并行接口)
- 工作温度范围为 -40 °C 到 105 °C
关于 MRAM 存储器
MRAM 是一种将数据存储在磁性元件单元内的存储器。 由薄绝缘体隔开的两块铁磁板始终保持磁化。 其中一块铁磁板是设为特定极性的永磁体。 第二块铁磁板的磁化强度随外部磁场而改变。 在编程过程中,该磁场可产生低或高电阻状态,分别表示数据存储中的“0”或“1”。