瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
搜索

2SK3812-ZP

有效

Nch Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm TO-263 / D2PAK

立即订购
2SK3812 Data Sheet

概览

The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

  • Super low on-state resistance
    RDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
    RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A)
  • High current rating: ID(DC) = ±110 A

文档

相关文档
类型 文档标题 日期
数据手册
2SK3812 Data Sheet
PDF 270 KB
指南
Power Discrete Mount Pad
PDF 796 KB
应用笔记
Power MOSFET Application Note
PDF 3.23 MB 日本語
应用笔记
Attention of Handling Semiconductor Devices
PDF 648 KB 日本語
+ 添加 3 个隐藏项目
4 items

设计和开发

ECAD 模块

点击产品选项表中的产品，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 足迹和 3D CAD 模型。点击产品选项表中的产品，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 足迹和 3D CAD 模型。
 

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

产品选项

当前筛选条件