RBN50H65T1FPQ-A0

描述

RBN50H65T1FPQ-A0 650V、50A 沟槽式绝缘栅双极晶体管（IGBT）集电极到发射极饱和电压低，内置快速恢复二极管（FRD），可用于功率开关应用。 该器件采用 TO-247A 封装。

特性

• 沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H 系列）
• 内置快速恢复二极管，采用一个封装
• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.5V（典型值） （I_C = 50A，V_GE = 15V，Ta = 25 °C）
• 质量等级：标准
• 高速开关
• 非短路专用

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应用