概览
描述
RJH65T46DPQ-A0 650V、40A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低集电极至发射极饱和电压、内置快速恢复二极管（FRD），可用于功率因数校正（PFC）电路应用。 该器件采用 TO-247A 封装。
特性
- 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.8V （典型值） （IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25 °C）
- 内置快速恢复二极管，采用一个封装
- 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
- 高速开关 tf = 45ns（典型值） （VCC = 400V，VGE = 15V ，IC = 40A，Rg = 10Ω，Ta = 25 °C，电感负载）
- 工作频率（20kHz ≤ f ˂ 100kHz）
- 不保证短路耐受时间
