RJP65T43DPM

描述

RJP65T43DPM 650V、20A 沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）集电极峰值电流为 150A，提供通孔安装，采用 TO-3PFM 封装。

特性

• 集电极至发射极饱和电压 V_{CE (sat)} = 1.8V （典型值） （I_C = 20A，V_GE = 15V，Ta = 25 °C）
• 隔离封装
• 沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H系列）
• 高速开关 t_f = 45ns（典型值） （V_CC = 400V，V_GE = 15V ，I_C = 20A，Rg = 10Ω，Ta = 25 °C，电感负载）
• 工作频率（20kHz ≤ f ˂ 100kHz）
• 不保证短路耐受时间

产品对比

应用