瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
搜索

N0603N

有效

Nch Power MOSFET 60V 100A 4.6mohm TO-262 / I2PAK

立即订购
N0603N Datasheet

概览

The N0603N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±100 A
  • RoHS Compliant

文档

相关文档
类型 文档标题 日期
数据手册
N0603N Datasheet
PDF 523 KB
指南
Power Discrete Mount Pad
PDF 796 KB
应用说明
Power MOSFET Application Note
PDF 3.23 MB 日本語
应用说明
Attention of Handling Semiconductor Devices
PDF 648 KB 日本語
+ 添加 3 个隐藏项目
4 items

设计和开发

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - SPICE
N0603N SPICE Data
LIB 2 KB
1 item

产品选项

当前筛选条件