概览
描述
The NP100N04MDH, NP100N04NDH, NP100N04PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特性
- Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
- Super low on-state resistance NP100N04MDH, NP100N04NDH RDS(on)1 = 3.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A) NP100N04PDH RDS(on)1 = 2.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A)
- High avalanche energy, High avalanche current
- Logic level drive Type
- Low input capacitance Ciss = 8700 pF TYP. (VDS = 25 V)
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应用
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 355 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
4 items
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设计和开发
模型
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