概览
描述
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The NP160N04TDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) RDS(on)2 = 2.2 mΩ TYP. / 5.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 80 A)
- High Current Rating ID(DC) = ±160 A
- Logic level drive type
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应用
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 367 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 产品可靠性报告 | PDF 234 KB | |
| 应用笔记 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
5 items
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设计和开发
模型
ECAD 模块
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