概览
描述
The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Low on-state resistance RDS(on) = 47 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on) = 64 mΩ MAX. (VGS = –5 V, ID = –10 A) RDS(on) = 70 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –10 A)
- Logic level drive type
- Gate to Source ESD protection diode built in
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
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应用
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 120 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用笔记 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
| 产品可靠性报告 | PDF 222 KB | |
| 应用笔记 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
6 items
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设计和开发
模型
ECAD 模块
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