概览
描述
MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.
特性
- Low on-resistance
RDS(on) = 0.068 Ω typ. (at ID = 10 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) - Very low gate charge
Qg = 19 nC typ. (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 20 A, Ta = 25°C) - Low leakage current
- High speed switching
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 90 KB | |
| 宣传手册 | PDF 12.71 MB 日本語 | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用说明 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 数据手册 | PDF 160 KB | |
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6 items
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设计和开发
模型
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