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借助全新 I3C JEDEC 标准，瑞萨电子的内存和控制平面 (I3C) 扩展器产品系列可显著提高包括 NVDIMMs、SSD 和控制平面应用在内的各种应用的信号完整性和性能。
NVDIMM 模块使用瑞萨电子的多路复用器，可在断电备份情况下将数据从 DRAM 引导至闪存。 使用瑞萨电子多路复用器的固态硬盘可在不影响闪存容量的情况下提高性能。 这些产品可用于其他需要高性能、低功耗的应用，并能以很小的占用空间提供提供易于使用的双向信号功能。
控制平面扩展器的最新成员是 I3C 产品系列，其能够以小尺寸提供更大的灵活性和 12MHz 的速度，并集成了温度传感器。
关于 NVDIMM 存储器的多路复用器应用
在企业级服务器市场上，基于 DDR4 的高速 RDIMM 和 LRDIMM 存储器模块扮演着不可或缺的角色；但是，在意外停电期间，存储在DRAM中的实时信息可能会丢失。对于某些服务器应用，NVDIMM可在电源断电前最后数毫秒内将信息从 DRAM 备份到闪存，通过这个机制增加了额外的数据安全层。在正常的高速运转期间，IDT 的 1:2 多路复用器将 DRAM 地址和数据引导至 DIMM 的边缘连接器，以供服务器的主控器访问。在备份和还原操作中，同样是该1:2多路复用器，可将DRAM 地址与数据传输到本地闪存子系统，从而在断电期间将易失性存储中的数据保存到闪存中。
关于 SSD 存储器的多路复用器应用
迄今为止，SSD 的容量很大程度上受到 SSD 控制器 ASIC 的引脚数限制。在不影响速度的前提下添加更多闪存将需要从控制器额外引进更多的地址和数据线路，以控制额外的闪存组。有时，添加额外的 ASIC 引脚数并不可行或成本太高。IDT 的 1:4 多路复用器使 ASIC 引脚数量能够按大约一比四的比率增长。即，对于每四组额外的闪存设备，只需向控制器额外添加一个寻址/数据端口。这使得在相同 ASIC 引脚数量下的闪存容量能够提高 4 倍。如果您的SSD产品的封装形态在设计时仍有空间来提高闪存容量，IDT 建议在您的解决方案中采用多个 1:4 多路复用器。
