概览
描述
The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.
特性
- Low on-state resistance:
RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –18 A)
RDS(on)2 = 46 mΩ MAX. (V/GS = –4.0 V, ID = –18 A) - Low input capacitance:
Ciss = 3300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V) - Built-in gate protection diode
- TO-251/TO-252 package
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应用
文档
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类型 | 文档标题 | 日期 |
数据手册 | PDF 1.16 MB | |
指南 | PDF 796 KB | |
应用笔记 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
应用笔记 | PDF 648 KB 日本語 | |
数据手册 | PDF 232 KB | |
5 items
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设计和开发
模型
ECAD 模块
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