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描述
Renesas' 8th-generation insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) feature an exclusive trench gate configuration in the process structure. These devices deliver faster switching performance compared to earlier IGBT generations and reduce conduction losses by lowering the saturation voltage.
The RBN75N65T1UFWA 650V/75A IGBT offers a low collector-to-emitter saturation voltage, making it suitable for power switching applications. It is available as an unsawn wafer.
特性
- Renesas generation 8th Trench IGBT
- Low collector to emitter saturation voltage
- High speed switching
- Unsawn wafer
- Wafer size = 200mm
- Quality grade: Standard
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应用
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 138 KB | |
| 应用说明 | PDF 521 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 881 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 712 KB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 842 KB | |
| 应用说明 | PDF 1.05 MB 日本語 | |
6 items
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设计和开发
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