概览
描述
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The NP82N04MUG and NP82N04NUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特性
- Non logic level
- Super low on-state resistance RDS(on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)
- High current rating ID(DC) = ±82 A
- Low input capacitance Ciss = 6500 pF TYP.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 315 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
4 items
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设计和开发
模型
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