封装信息
| Pitch (mm) | |
| Lead Count (#) | 0 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 0.0 x 0.0 x 0.0 |
| Pkg. Code | DICE |
| Pkg. Type | WAFER |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
产品属性
| Lead Count (#) | 0 |
| Carrier Type | Wafer |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Description | Wafer Unsawn |
| Pitch (mm) | 0.0 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 0.0 x 0.0 x 0.0 |
| Qty. per Reel (#) | 0 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | e3 Sn |
| Temp. Range (°C) | -40 to 150°C |
| Country of Wafer Fabrication | Taiwan |
| Adj. Analog Gain | 3 - 912 |
| Automotive Qual. | Yes |
| Function | Resistive SSC |
| Input Type | Single-bridge |
| Interface | I2C, Ratiometric Analog Voltage, ZACwire™ (OWI) |
| Length (mm) | 0.0 |
| MOQ | 4580 |
| Pkg. Type | WAFER |
| Qty. per Carrier (#) | 0 |
| Requires Terms and Conditions | Does not require acceptance of Terms and Conditions |
| Resolution (bits) | 18 |
| Sample Rate Max (KHz) | 10 |
| Supply Voltage (V) | 4.5 - 5.5 |
| Tape & Reel | No |
| Thickness (mm) | 0.0 |
| Width (mm) | 0.0 |
| 已发布 | No |
有关 RAA2S4251 的资源
描述
RAA2S4251B 是瑞萨电子的一款 CMOS 集成电路，专为高精度放大和差分桥传感器信号的传感器特定校正设计。 RAA2S4251B 具有模拟传感器偏移校正功能，最大模拟预放大倍数高达 900，可以调节适应几乎所有电阻电桥。
调节计算通过 16 位 RISC 微控制器实现。 校准系数和配置数据存储在非易失性存储器（NVM）中，这在汽车应用中是一种可靠的存储方式。
测量值通过比率模拟输出信号提供。 该输出引脚还支持通过单线接口（OWI）进行末端线校准。 数字化校准有助于降低组装成本，因为无需通过外部设备或激光进行修整。 RAA2S4251B 进行了优化，配有过电压和反极性保护电路，具备优异的电磁兼容性和多种诊断功能，适用于恶劣的汽车环境。