封装信息
| Pkg. Type | TO-247 |
| Lead Count (#) | 3 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
产品属性
| Pkg. Type | TO-247 |
| Carrier Type | Tube |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Temp. Range | -55 to +150°C |
| Price (USD) | 1ku | 22.35708 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5218 |
| Coss (Typical) (pF) | 307 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 99 |
| Lead Count (#) | 3 |
| Qg typ (nC) | 74 |
| Qoss (nC) | 430 |
| Qrr typ (nC) | 430 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 15 |
| RDSON (max) (mΩ) | 18 |
| Ron * Qoss (FOM) | 6450 |
| V(TR)DSS max (V) | 725 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 100 |
描述
TP65H015G5WS 650V 15mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 GenV 平台构建的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H015G5WS 采用行业标准的 3 引脚 TO-247 封装，具有通用源极封装配置。