比硅效率更高
瑞萨电子是氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 的先驱，为 25W 至 10kW 的广泛应用提供可靠的高性能解决方案。随着高功率和低功率器件的出货量超过 2000 万台，我们的产品累计现场运行时间总计超过 3000 亿小时。 这些成就是由一个独有、优越的架构推动的，而此架构充分利用了 GaN 固有的性能优势。
我们提供多种功率 GaN HEMT 封装选项，包括紧凑的 PQFN、坚固的 TO 引脚以及具有底部和顶部冷却功能的各种表面贴装封装。这种多功能性是竞争对手的 GaN 产品无法比拟的，而 GaN 产品通常受到设计限制的限制。
我们强大的常闭架构、广泛的封装种类和集成的低压硅 MOSFET 前端可实现与标准硅驱动器的无缝兼容性。 这些功能使系统开发人员使用GaN更简单、更具成本效益。
坚固可靠
我们高度稳健的硅基氮化镓共源共栅技术在现场拥有 300+ 亿小时，使我们成为拥有垂直整合供应链的可靠氮化镓供应商。
高性能产品组合
650V 和 700V GaN 器件的功率范围为 25W 至 10 kW，与其他 GaN 产品和衬底相比，损耗降低了 25%，效率更高。
易于设计
由于具有独特的共源共栅结构，因此易于使用标准栅极驱动器驱动，提供引脚对引脚兼容的引脚、SMD 和顶部冷却封装以及设计资源库。
