650V GaN 双向开关
简化高电压功率转换设计，并降低 AI 基础设施、太阳能逆变器、储能系统等应用的系统成本、体积和复杂性。 高电压 GaN BDS 器件通过在一个单芯片中实现真正的双向电压阻断和双向电流导通能力，从而支持单级功率转换。
效率高于硅基与碳化硅方案
瑞萨电子是氮化镓（GaN）功率半导体的行业先驱，可为 25W 至 10kW 以上的各类应用场景提供可靠的高性能解决方案。 我们的高功率和低功率器件出货量接近 3000 万件，产品的现场运行时长累计突破 7400 亿小时。 我们经过实地验证的 SuperGaN 架构拓展至双向平台，正在重塑单级功率转换的技术格局。
这种卓越的可靠性得益于我们独特的强大架构，该架构既充分发挥了氮化镓固有的性能优势，又提供了多样化的封装选择。 现有封装方案包含紧凑型 PQFN、坚固型 TO 引线封装以及多种带底部和顶部冷却的表面贴装选项。 这种卓越的通用性是其他氮化镓产品所无法实现的，因为它们的设计本身存在局限性。
我们的单向和双向 GaN 解决方案能够简化系统应用并降低成本 — 采用稳健的常关断架构、丰富的封装种类以及与标准硅驱动器兼容的集成式低压硅 MOSFET 前端。
坚固可靠
采用久经考验的硅基氮化镓共源共栅（GaN-on-Si）技术，其现场运行时长已超 7400 亿小时。我们不仅是高功率应用市场的领导者，更是拥有垂直整合供应链和 1000 多项氮化镓技术专利的供应商
高性能产品组合
产品功率范围从 25W 到 10kW 以上，与其他氮化镓产品相比，损耗更低且性能更佳，且在基础设施、工业、汽车和消费电子领域中表现优于硅基、碳化硅以及 E 模式氮化镓技术
易于设计
为加速技术导入，本产品具备一系列丰富特性，包括与标准栅极驱动器的兼容性，并提供市面上应用最广泛的引脚对引脚兼容型引线封装、SMD 封装和顶部散热封装产品组合。
产品组合
对比全部产品650V GaN BDS
高电压 GaN 双向开关：性能强劲，使用更简单
本白皮书介绍了瑞萨 GaN 双向开关如何通过快速开关、低寄生性和强大的栅极性能来实现紧凑、高效的功率转换器。 同时，本文还概述了其在交流/直流、太阳能、电池和 AI 电源系统中的关键优势。
