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氮化镓 (GaN) 功率分立器件

比硅效率更高

瑞萨电子是氮化镓 (GaN) 功率半导体的先驱,为 25W 至 10 kW 的广泛应用提供可靠的高性能解决方案。 随着高功率和低功率器件的出货量超过 2000 万台,我们的产品累计现场运行时间总计超过 3000 亿小时。 这些成就是由一个独有、优越的架构推动的,而此架构充分利用了 GaN 固有的性能优势。

我们提供多种封装选项,包括紧凑的 PQFN、坚固的 TO 引脚以及具有底部和顶部冷却功能的各种表面贴装封装。 这种多功能性是竞争对手的 GaN 产品无法比拟的,而 GaN 产品通常受到设计限制的限制。

我们强大的常闭架构、广泛的封装种类和集成的低压硅 MOSFET 前端可实现与标准硅驱动器的无缝兼容性。 这些功能使系统开发人员使用GaN更简单、更具成本效益。

 

坚固可靠

我们高度稳健的硅基氮化镓共源共栅技术在现场拥有 300+ 亿小时,使我们成为拥有垂直整合供应链的可靠氮化镓供应商。

高性能产品组合

650V 和 700V GaN 器件的功率范围为 25W 至 10 kW,与其他 GaN 产品和衬底相比,损耗降低了 25%,效率更高。

易于设计

由于具有独特的共源共栅结构,因此易于使用标准栅极驱动器驱动,提供引脚对引脚兼容的引脚、SMD 和顶部冷却封装以及设计资源库。

Product Selector: GaN Power Discretes

通过我们的参数化产品选择工具探索我们的产品目录。比较各种参数的规格,找到适合您设计的零件。

产品选择器

常關型GaN 的基本優勢

此白皮書展示了常關型Dmode GaN 如何完勝Emode GaN, 包括更可升靠, 更高效率, 更有效利用二維電子氣的優點。

請下載白皮書中文版
White paper cover page for GaN highlighting benefits of D-Mode vs E-Mode GaN

应用

视频和培训

Gallium Nitride (GaN) Delivers Unmatched Performance and Reliability

Renesas now offers the highest performance and reliability Gallium Nitride (GaN) solutions with the help of Transphorm. Discover how our GaN technology can enhance your next-generation system designs.

To learn more, visit the GaN Power Discretes category page.

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瑞萨完成对Transphorm的收购 新闻 2024年6月20日

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