效率高于硅基与碳化硅方案
瑞萨电子是氮化镓（GaN）功率半导体的行业先驱，可为 25W 至 10kW 以上的多元应用场景提供可靠的高性能解决方案。 我们的高功率和低功率器件出货量超过 2000 万件，产品的现场运行时长累计突破 3500 亿小时。 这种卓越的可靠性得益于我们独特的先进架构，该架构既充分发挥了氮化镓固有的性能优势，又提供了多样化的封装选择。 现有封装方案包含紧凑型 PQFN、坚固型 TO 引线封装以及各种带底部和顶部冷却的表面贴装封装。 这种卓越的通用性是其他氮化镓产品所无法实现的，因为它们的设计本身存在局限性。 我们的氮化镓解决方案采用稳健的常关断架构、丰富的封装种类和集成的低压硅 MOSFET 前端，以确保与标准硅驱动器的兼容性，从而显著降低系统开发者的应用难度与成本。
坚固可靠
采用久经考验的硅基氮化镓共源共栅（GaN-on-Si）技术，其现场运行时长已超 3500 亿小时。我们不仅是高功率应用市场的领导者，更是拥有垂直整合供应链和 1000 多项 GaN 技术专利的供应商
高性能产品组合
本系列产品功率范围从 25W 到 10kW 以上，与其他氮化镓产品相比，损耗降低 25%，能效显著提升，且在基础设施、工业、汽车和消费电子领域中表现优于硅基、碳化硅以及增强型氮化镓技术
易于设计
为加速技术导入，本产品具备一系列丰富特性，包括与标准栅极驱动器的兼容性，并提供市面上应用最广泛的引脚对引脚兼容型引线封装、SMD 封装和顶部散热封装产品组合。
产品组合
对比全部产品
