封装信息
| Pkg. Type | PQFN88 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 8 x 8 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
产品属性
| Pkg. Type | PQFN88 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range | -55 to +150°C |
| Ciss (Typical) (pF) | 600 |
| Coss (Typical) (pF) | 74 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 8 x 8 |
| Qg typ (nC) | 8.4 |
| Qoss (nC) | 78 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5616 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 34 |
描述
TP65H070G4LSGB 650V 72mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 Gen IV 平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H070G4LSGB采用行业标准的 PQFN88 封装，具有通用的源封装配置。