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Renesas 是市场领先的双端口 RAM 供应商，可将系统设计经验与高性能电路及双端口 SRAM 技术专业经验加以有效结合，打造性能优异的异步双端口 RAM 产品。
Renesas 的异步双端口 RAM 器件是一种带有非时钟式输入和输出并用于数据、地址和控制功能的存储器器件。 这些双端口 RAM 可以响应地址和控制引脚的变化而不需要时钟或计数器，同时还允许同时从两个总线访问一个静态 SRAM 存储器位置。 大多数异步双端口 RAM 还具有仲裁逻辑。
- 双端口 RAM 可增加带宽 (~2x SRAM)
- 双端口 RAM 可降低设计复杂性
- 与替代解决方案相比，双端口 RAM 可缩短上市时间
Renesas 的双端口 RAM 采用 2.5V 至 5V I/O 电压、行业标准的绿色封装（符合 6/6 RoHS 标准）和标准封装，以及商业、工业和军事级别。 Renesas 不断致力于降低 SRAM 双端口内存解决方案的高性能成本。 我们将继续保持半导体行业中双端口异步存储器的领先供应商地位。
关于双端口存储器（双端口 RAM）
双端口存储器（双端口 RAM）是一种随机存取存储器，可支持在存储器内的不同地址同时（或几乎同时）发生的多个读取或写入操作。 该功能的主要优势在于性能方面，因为单端口 RAM 在每个时钟周期只允许读取/写入一个存储器单元，而双端口存储器在每个周期允许读取/写入两个存储器单元。
双端口存储器的晶体管级架构使用八晶体管基本存储单元，而单端口 RAM 则使用一个六晶体管基本存储单元。 虽然这通常会增加管芯尺寸，但 Renesas 的解决方案将得到优化，并采用非常紧凑的封装。
选择双端口 RAM 的关键参数包括：
- 核心电压： 向双端口 RAM 供电的电源电压。 这通常由系统中的电源轨决定。
- I/O 电压： 用于数据输入和输出的电压，在某些器件中该电压与核心电压无关。
- 总线宽度： 用于读取和写入双端口 RAM 的“通道”数量。 Renesas 提供所有常用配置。
- 存储器密度： 这是指双端口 RAM 将保留在其存储器中的位数。 Renesas 可提供最高达 18 MB 的规格。
- 存取时间： 查找单条信息并使其可供计算机处理的时间。 理想情况下，双端口存储器的存取时间应足够快，从而与 CPU 同步。 如果不同步，CPU 将浪费一定数量的时钟周期，从而导致速度变慢。 Renesas 可提供低至 8 纳秒的存取时间。
