瑞萨电子存储器 IP 提供具有各种配置的 SRAM 和 TCAM。

瑞萨电子 SRAM 和 TCAM IP 的显著特性:

  • 面积小
    • 通过优化存储器的外围电路,面积大幅缩小。
  • 低功耗
    • 支持低泄漏保留模式(继续待机)和断电模式(关机)。
  • 围绕 IDM 的设计质量
    • 经过诸多产品验证。

以下部分 IP 可签约用于设计。 请联系我们了解详情。

功能IP 名称工艺(或软宏)状态文档查询
SRAMSRAM: 1WR, 1W1R (2clk), 2WR (2clk)TSMC 40nm可用
(需要咨询规格)
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SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk, 1clk), 2W2R (1clk)TSMC 28nm
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk)TSMC 16nm
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk, 1clk), 2WR (2clk)TSMC 12nm
SRAM: 1WR, 1W1R (2clk)TSMC 7nm
SRAM: 1WR 1.8V-3.3VTSMC 40nm初步文档
(需要咨询)
TCAMTCAM IP 解决方案SMIC 40nm可用
(需要咨询规格)
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TSMC 28nm
TSMC 16nm
TSMC 12nm
TSMC 7nm

文档

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