概览
描述
RTDACHB0000RS‑MF‑1 评估套件采用两颗由瑞萨 MCU 控制的 110mΩ 双向开关（BDS）TOLT 器件，为演示 BDS 调制、操作以及真实功率转换拓扑中开关单元典型的软开关行为提供了灵活的平台。
此款即插即用板可让客户轻松观察瑞萨 GaN BDS 器件在软开关条件下的开关特性。 只需连接 AC 输入和辅助电源，用户即可评估 BDS 功能并加速其转换器开发。
特性
- 半桥 GaN BDS 配置可作为多种拓扑结构的构件
- 用于评估 GaN BDS 调制和运行的灵活平台
- 半桥的多重驱动选项
- 基于 MCU 的 PWM 生成
- 支持用户提供的 PWM 信号
- 板载 AC 零交叉检测
- ZVS 软开关操作
应用
视频和培训
The TP65B110HRU High‑Voltage GaN Bidirectional Switch features a ±650V rating with ±800V transient capability, a high 3V gate threshold, and a ±20V gate‑source voltage range. It delivers low reverse‑conduction loss, high dv/dt immunity greater than 100V/ns, and robust 2kV HBM ESD performance. Its compact TOLT package and bidirectional architecture make it well‑suited for efficient, high‑performance power designs requiring reliable switching in both directions.
新闻和博客
博客 2026年3月27日 |
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