特性
- 在三相桥配置中独立驱动 6 个 N 沟道 MOSFET
- 自举电源最高电压可达 95VDC，偏置电源电压为 7V 至 15V
- 1.25A 峰值关断电流
- 用户可编程死区时间（0.5μs 至 4.5μs）
- 自举和可选电荷泵可保持高端驱动器偏置电压。
- 可编程自举刷新时间
- 驱动 1000pF 负载，典型上升时间为 20ns，下降时间为 10ns
- 可编程欠压设定点
描述
HIP4086 和 HIP4086A（亦称 HIP4086/A）是三相 N 沟道 MOSFET 驱动器。 这两款器件均专门用于 PWM 电机控制。 这些驱动器具有灵活的输入协议，用于驱动所有可能的开关组合。 对于开关磁阻应用，用户甚至可以覆盖击穿保护功能。 HIP4086/A 的可编程死区时间范围较宽（0.5μs 至 4.5μs），因此非常适合电机驱动器通常使用的低频（最高 100kHz）。 HIP4086 和 HIP4086A 的唯一区别是 HIP4086A 禁用了内置电荷泵。 该功能非常有利于需要安静 EMI 性能的应用（电荷泵工作频率为 10MHz）。 HIP4086 的优势在于内置的电荷泵可以无限延长高端驱动器的导通时间。 为确保高端驱动器启动电容器在开启前充满电，在首次应用 VDD 时会激活一个可编程启动刷新脉冲。 激活时，刷新脉冲会打开所有三个低端桥式场效应晶体管，同时关闭三个高端桥式场效应晶体管，以便为高端启动电容器充电。 刷新脉冲清除后，开始正常运行。 HIP4086/A 的另一个实用功能是可编程欠压设定点。 设定点范围从 6.6V 至 8.5V 不等。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Function | 3-Phase MOSFET Driver |
| Input Voltage Range (V) | 7 - 80 |
| Input Voltage (Max) (V) | 95 |
| VBIAS (Max) (V) | 15 |
| Quiescent Current | 40 µA |
| ISOURCE (Max) (mA) | 500 |
| ISINK (Max) (mA) | 1100 |
| Internal Buck Regulator | No |
| Gate Drive (V) | 15 |
| Internal Auxiliary Power | No |
| Adaptive Dead Time | No |
| VOUT Slew-rate Control | No |
| Charge Pump | Yes |
| Intern Gain Amplifiers | No |
| Internal Sample & Hold | No |
| Input Control | HI/LI |
| Input Logic Level | 3.3V/TTL |
| Advanced Fault Protection | Yes |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOICW | 15.4 x 7.5 x 0.00 | 24 | 1.3 |
应用方框图
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多功能无线电钻，带电线检测功能
带有 IoT 的无线电钻设计可实现电线检测、蓝牙控制、角度调节和增强的可见性。
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48V 无刷直流（BLDC）电机位置控制
高效的无刷直流（BLDC）电机系统，具有精确控制、快速唤醒和无缝组件集成功能。
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其他应用
- 无刷电机（BLDC）
- 三相交流电机
- 开关磁阻电机驱动器
- 电池供电车辆
- 电池供电工具