跳转到主要内容
80V、500mA、三相 MOSFET 驱动器

封装信息

CAD 模型:View CAD Model
Pkg. Type:SOICW
Pkg. Code:MWU
Lead Count (#):24
Pkg. Dimensions (mm):15.39 x 7.52 x 0.00
Pitch (mm):1.27

环境和出口类别

Moisture Sensitivity Level (MSL)
Pb (Lead) FreeNo
ECCN (US)
HTS (US)

产品属性

Lead Count (#)24
Carrier TypeReel
Peak Pull-down Current (A)1.1
Peak Pull-up Current (A)0.5
Pitch (mm)1.3
Pkg. Dimensions (mm)15.4 x 7.5 x 0.00
Pb (Lead) FreeNo
Temp. Range (°C)-40 to +105°C
Adaptive Dead TimeNo
Advanced Fault ProtectionYes
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V)95
Charge PumpYes
Fall Time0.01
Function3-Phase MOSFET Driver
Gate Drive (V)15
ISINK (Max) (mA)1100
ISOURCE (Max) (mA)500
Input ControlHI/LI
Input Logic Level3.3V/TTL
Input Voltage (Max) (V)95
Input Voltage Range (V)7 - 80
Intern Gain AmplifiersNo
Internal Auxiliary PowerNo
Internal Buck RegulatorNo
Internal Sample & HoldNo
Length (mm)15.4
MOQ1000
Parametric Category3-Phase MOSFET Drivers, 3-Phase FET Drivers
Pkg. TypeSOICW
Qualification LevelStandard
Quiescent Current40 µA
Rise Time (μs)20
Turn-Off Prop Delay (ns)75
Turn-On Prop Delay (ns)65
VBIAS (Max) (V)15
VOUT Slew-rate ControlNo
Width (mm)7.5

描述

HIP4086 和 HIP4086A(亦称 HIP4086/A)是三相 N 沟道 MOSFET 驱动器。 这两款器件均专门用于 PWM 电机控制。 这些驱动器具有灵活的输入协议,用于驱动所有可能的开关组合。 对于开关磁阻应用,用户甚至可以覆盖击穿保护功能。 HIP4086/A 的可编程死区时间范围较宽(0.5μs 至 4.5μs),因此非常适合电机驱动器通常使用的低频(最高 100kHz)。 HIP4086 和 HIP4086A 的唯一区别是 HIP4086A 禁用了内置电荷泵。 该功能非常有利于需要安静 EMI 性能的应用(电荷泵工作频率为 10MHz)。 HIP4086 的优势在于内置的电荷泵可以无限延长高端驱动器的导通时间。 为确保高端驱动器启动电容器在开启前充满电,在首次应用 VDD 时会激活一个可编程启动刷新脉冲。 激活时,刷新脉冲会打开所有三个低端桥式场效应晶体管,同时关闭三个高端桥式场效应晶体管,以便为高端启动电容器充电。 刷新脉冲清除后,开始正常运行。 HIP4086/A 的另一个实用功能是可编程欠压设定点。 设定点范围从 6.6V 至 8.5V 不等。