Pitch (mm) | 1.27 |
Lead Count (#) | 24 |
Pkg. Dimensions (mm) | 15.39 x 7.52 x 0.00 |
Pkg. Code | MHR |
Pkg. Type | SOICW |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
Pb (Lead) Free | Yes |
ECCN (US) | EAR99 |
HTS (US) | 8542.39.0090 |
RoHS (HIP4086ABZT) | 下载 |
Lead Count (#) | 24 |
Carrier Type | Reel |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
Peak Pull-down Current (A) | 1.1 |
Peak Pull-up Current (A) | 0.5 |
Pitch (mm) | 1.3 |
Pkg. Dimensions (mm) | 15.4 x 7.5 x 0.00 |
Pb (Lead) Free | Yes |
Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
Temp. Range (°C) | -40 to +105°C |
Country of Assembly | China |
Country of Wafer Fabrication | United States |
Price (USD) | 4.84862 |
Adaptive Dead Time | No |
Advanced Fault Protection | Yes |
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 95 |
Charge Pump | Yes |
Fall Time | 0.01 |
Function | 3-Phase MOSFET Driver |
Gate Drive (V) | 15 |
ISINK (Max) (mA) | 1100 |
ISOURCE (Max) (mA) | 500 |
Input Control | HI/LI |
Input Logic Level | 3.3V/TTL |
Input Voltage (Max) (V) | 95 |
Input Voltage Range (V) | 7 - 80 |
Intern Gain Amplifiers | No |
Internal Auxiliary Power | No |
Internal Buck Regulator | No |
Internal Sample & Hold | No |
Length (mm) | 15.4 |
MOQ | 1000 |
Parametric Category | 3-Phase MOSFET Drivers, 3-Phase FET Drivers |
Pkg. Type | SOICW |
Qualification Level | Standard |
Quiescent Current | 40 µA |
Rise Time (μs) | 20 |
Thickness (mm) | 0.00 |
Turn-Off Prop Delay (ns) | 75 |
Turn-On Prop Delay (ns) | 65 |
VBIAS (Max) (V) | 15 |
VOUT Slew-rate Control | No |
Width (mm) | 7.5 |
HIP4086 和 HIP4086A(亦称 HIP4086/A)是三相 N 沟道 MOSFET 驱动器。 这两款器件均专门用于 PWM 电机控制。 这些驱动器具有灵活的输入协议,用于驱动所有可能的开关组合。 对于开关磁阻应用,用户甚至可以覆盖击穿保护功能。 HIP4086/A 的可编程死区时间范围较宽(0.5μs 至 4.5μs),因此非常适合电机驱动器通常使用的低频(最高 100kHz)。 HIP4086 和 HIP4086A 的唯一区别是 HIP4086A 禁用了内置电荷泵。 该功能非常有利于需要安静 EMI 性能的应用(电荷泵工作频率为 10MHz)。 HIP4086 的优势在于内置的电荷泵可以无限延长高端驱动器的导通时间。 为确保高端驱动器启动电容器在开启前充满电,在首次应用 VDD 时会激活一个可编程启动刷新脉冲。 激活时,刷新脉冲会打开所有三个低端桥式场效应晶体管,同时关闭三个高端桥式场效应晶体管,以便为高端启动电容器充电。 刷新脉冲清除后,开始正常运行。 HIP4086/A 的另一个实用功能是可编程欠压设定点。 设定点范围从 6.6V 至 8.5V 不等。