特性
- 可调谐振延迟,可用于ZVS操作
- 电压或电流模式操作
- 3%电流限制阈值
- 175μA启动电流
- 电源UVLO
- 可调死区时间控制
- 可调式软启动
- 可调振荡器频率高达2MHz
- 在线路、负载和温度条件下的误差放大器基准容差很小
- 5MHz GBWP误差放大器
- 可调逐周期峰值电流限制
- 电流检测输出延时速度快
- 70ns前沿消隐
- 多脉冲抑制
- 缓冲振荡器锯齿输出
- 内部过温保护
- 提供无铅加退火,符合ELV、WEEE、RoHS标准
描述
ISL6753是一款高性能、低引脚数的零电压开关(ZVS)全桥脉宽调制(PWM)控制器。 与 ISL6551 一样,以固定的50%占空比驱动上桥FET,而下桥FET则通过可调节谐振开关延迟进行后沿调制,以实现ZVS操作。 与更熟悉的相移控制方法相比,该算法在更低引脚数的封装中提供了相同的效率,并改善了过流和轻载性能,而且降低了复杂性。 这种先进的BiCMOS设计具有低工作电流、高达2MHz的可调振荡器频率、可调软启动、内部过温保护、精密死区时间和谐振延迟控制以及短传播延迟等特点。 此外,多脉冲抑制功能可确保在可能发生脉冲跳跃的低占空比下交替输出脉冲。
应用
- ZVS全桥转换器
- 电信和数据通信电源
- 无线基站电源
- 文件服务器电源
- 工业电力系统
| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | RoHS | 封装 | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL6753AAZA | Obsolete | N/A | 有库存 | RoHS:EN | QSOP | 16# | Tube | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +105°C |
| ISL6753AAZA-T | Obsolete | N/A | 有库存 | RoHS:EN | QSOP | 16# | Reel | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +105°C |
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- 产品变更通告英语PDF 398 KB PCN15046 2016年1月07日
- 应用说明英语PDF 581 KB an1262 2006年7月31日AI 生成的摘要: The document explains the operation and design considerations of ZVS full-bridge controllers using ISL6752 and ISL6753 ICs. It details the conduction and switching losses of MOSFETs, emphasizing the zero voltage switching of upper MOSFETs and the impact of device characteristics on efficiency. The synchronous rectifier timing setup is described, including methods to avoid cross conduction and improve efficiency. It also discusses rectifier output options, highlighting the limitations of Schottky and PN diodes and the need for voltage snubbing networks to manage voltage ringing.
- 应用说明英语PDF 725 KB an1246 2005年11月02日AI 生成的摘要: This document explains techniques to improve Zero Voltage Switching (ZVS) full-bridge converter performance by analyzing MOSFET power losses and introducing saturable cores. It details how saturable cores enhance ZVS operation by varying inductance based on magnetic saturation, improving blocking time and reducing output diode ringing. The theory covers magnetic B-H loops, core geometry, permeability changes, and core reset mechanisms influenced by diode reverse recovery characteristics.
- 应用说明英语PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI 生成的摘要: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- 应用说明英语PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI 生成的摘要: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
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应用说明和白皮书 (4)
- 产品变更通告英语PDF 398 KB PCN15046 2016年1月07日
产品通告(产品变更、EOL 等) (1)
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