双端口存储器（又称为双端口 RAM）支持在存储器内部同时进行多次读取或写入，以提高系统性能。 双端口存储器支持每个时钟周期访问两个存储器单元，而单端口存储器只能访问一个单元。 我们的双端口解决方案采用经过优化的八晶体管基础存储单元，并使用高度紧凑型封装，从而避免了加大芯片尺寸的需求。
概览
我们提供卓越的异步双端口 RAM 解决方案，这些方案融合了我们先进的技术特性与深厚的系统设计专业知识。 我们的存储器件无需时钟输入或输出即可运行，能即时响应地址和控制引脚的变化。 这些动态 RAM 支持从两条总线同时访问单个静态 SRAM 存储器位置，可在提升系统性能的同时简化设计。 我们的异步双端口 RAM 配备了仲裁逻辑，最大限度地减少了系统冲突，特别适用于高带宽场景。
提高带宽效率
双 SRAM 带宽可为高要求应用场景实现更高的系统性能。
简化系统设计
降低复杂性，实现更快且更高效的开发。
加快上市速度
缩短设计周期，加快产品上市速度，更快进入市场。
可定制电压选项
支持 2.5V 至 5V I/O 电压，满足不同的系统要求。
关于双端口存储器
双端口关键参数
- 核心电压：为双端口 RAM 供电的电源电压，通常由系统的可用电源轨决定。
- I/O 电压：用于数据输入和输出的电压，在某些器件中该电压与核心电压相互独立。
- 总线宽度：用于读取和写入双端口 RAM 的“通道”数量。 瑞萨电子提供所有常用配置。
- 存储器密度：双端口 RAM 可容纳的位数。 我们提供高达 18Mb 的容量。
- 存取时间：查找并提供信息以供处理所需的时间。 瑞萨电子解决方案可实现仅 8 纳秒的存取速度。
