双端口 SRAM 存储器（DPRAM）是一种支持在存储器中同时进行多次读取或写入的静态随机存取存储器，可显著提升系统性能。 双端口存储器支持每个时钟周期访问两个存储器单元，而单端口存储器只能访问一个单元。 DPRAM 采用八晶体管基础存储单元结构，该设计通常会导致芯片尺寸增大。 我们的优化解决方案采用高度紧凑的封装，因此无需增大芯片尺寸。
概览
瑞萨电子的同步双端口 RAM 产品融合了我们在多端口 SRAM 领域的专业积淀和系统设计经验。 这些出色的器件配备有时钟控制的数据、地址及控制信号输入输出端。 该设计支持全同步操作模式，并允许两条独立总线同时访问同一静态 SRAM 存储单元。 凭借更高的带宽能力，双端口 SRAM 可实现标准 SRAM 两倍的性能表现，从而简化了系统设计，缩短了产品上市时间。 先进的仲裁技术（包括信号量令牌传递、软件仲裁和片上硬件仲裁）可消除争用和系统等待状态，提高运行效率，确保最佳性能。
增强型带宽
超强的系统吞吐量，性能约为标准 SDRAM 的两倍
简化系统设计
降低设计复杂性，加快开发进程
高级仲裁
集成片上工具，消除争用现象，确保无缝操作
灵活的电压支持
支持 2.5V 至 5V I/O 电压，实现多功能集成
质量和可靠性
提供商用、工业和军用级产品，满足各种应用需求
关于双端口 SRAM
DPRAM 关键参数
- 存储器密度： DPRAM 存储器可存储的位数。 瑞萨电子可提供高达 36Mb 的容量。
- 总线宽度：用于读取和写入的“通道”数量。 我们提供所有常用配置规格。
- I/O 频率：支持的时钟信号频率。 我们的 DPRAM 解决方案支持高达 200MHz 的频率。
- 输出类型： 从 DPRAM 输出存储器数据的方式。 我们的器件可提供直通式和流水线式两种选项。
- 核心电压：为器件供电的电源电压，通常由可用电源轨决定。
- I/O 电压：用于数据输入和输出的电压，在某些器件中该电压与核心电压相互独立。
