概览
描述
The R1RW0408DI is a 4-Mbit High-Speed static RAM organized 512-kword × 8-bit. It has realized High-Speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and High-Speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires High-Speed, high density memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. The R1RW0408DI is packaged in 400-mil 36-pin SOJ for high density surface mounting.
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 355 KB 日本語 | |
| 指南 | PDF 182 KB 日本語 | |
| 指南 | PDF 1.27 MB 日本語 | |
| 产品可靠性报告 | PDF 202 KB | |
| 产品变更通告 | PDF 1.04 MB 日本語 | |
| 产品变更通告 | PDF 885 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 3.28 MB | |
| 封装外形图 | PDF 21 KB | |
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8 items
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设计和开发
模型
ECAD 模块
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