选择异步 SRAM
- 密度：异步 SRAM 可存储的位数。 瑞萨电子器件的容量配置高达 4MB。
- 总线宽度：用于读取和写入数据的“通道”数量。 我们可提供 8 位和 16 位两种选择。
- 核心电压：为异步 SRAM 供电的电源电压，通常由可用电源轨决定。 我们支持标准 5V 和 3.3V 电压选项。
- I/O 电压：用于数据输入和输出的电压，在某些器件中该电压与核心电压无关。
- 存取时间：SRAM 执行读写操作的速度。 我们的异步 SRAM 可实现快至 10ns 的存取时间。
概览
瑞萨电子的异步 SRAM 是可靠的高性能存储解决方案，专为需要高性价比和高速能力的应用场景而设计。 这些 SRAMS 采用先进的 CMOS 技术制造，配备全静态异步电路，无需时钟信号或刷新周期即可运行，从而确保了高效性和设计简洁性。 该器件采用符合 RoHS 规范的封装和行业标准选件，是 CPU 高速缓冲存储器、硬盘缓冲器、网络设备和消费电子产品等各种应用场景的理想之选。
选择异步 SRAM
资源
支持
Product Longevity Program (PLP)
Select appropriate products for applications requiring long life cycles.
