SRAM 采用双稳态锁存电路存储每个数据位，确保设备通电期间数据稳定。 与 DRAM 不同，SRAM 无需定期刷新，因此效率很高。 虽然 SRAM 通常具有易失性，但在运行过程中会表现出优异的数据保持特性。 SRAM 通过使用时钟信号来同步控制信号，优化与 CPU 的协同运行，从而实现更快的性能。 瑞萨电子的异步和同步 SRAM 产品设计旨在为各种应用场景提供高速可靠的内存解决方案。
概览
瑞萨电子提供高性能、可靠的 SRAM（静态随机存取存储器）解决方案，包括行业标准型、低功耗型和高速型 SRAM 产品，适用于工业、通信及国防领域。 我们依托于 40 余年的存储器技术专业经验和对品质的坚定承诺，提供全系列解决方案。 IDT 与瑞萨电子的整合进一步增强了我们提供优秀存储器解决方案的能力，确保持续稳定的供应和全生命周期支持。
用于网络的 ZBT™ 技术
ZBT SRAM 专为消除写/读转换过程中的等待状态而设计，是网络应用场景的理想选择，尤其适用于对速度和无缝操作有关键要求的场景。
军用级可靠性
我们提供军用级配置的成熟设备类型，可满足对耐用性与性能要求极高的关键国防应用需求。
灵活的密度和架构
我们的 SRAM 产品具有从 256K 位到 64M 位的密度，包括高达 4M 位的高速 SRAM 和高达 18M 位的同步架构产品。
