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描述

NP60N06PLK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)
  • Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 523 KB
指南 PDF 796 KB
产品可靠性报告 PDF 226 KB
应用说明 PDF 648 KB 日本語
宣传手册 PDF 2.24 MB
5 项目

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