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NP90N04MDH

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Switching　N-CHANNEL POWER MOS FET

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The NP90N04MDH, NP90N04NDH, NP90N04PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP90N04MDH, NP90N04NDH RDS(on)1 = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 6.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 45 A) NP90N04PDH RDS(on)1 = 3.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 45 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Logic level drive Type
  • Low input capacitance Ciss = 7500 pF TYP. (VDS = 25 V)

文档

相关文档
类型 文档标题 日期
数据手册
NP90N04MDH, NP90N04NDH, NP90N04PDH Datasheet
PDF 355 KB
指南
Power Discrete Mount Pad
PDF 796 KB
应用说明
Attention of Handling Semiconductor Devices
PDF 648 KB 日本語
宣传手册
Power MOSFET & IPD
PDF 2.24 MB
4 项目

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ECAD 模块

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